Новый квантовый материал создаст две спинтронные технологии: это даст будущее компьютерам

Инсайт форум  познаний служит для обсуждения проблем экологии, науки, здоровья, питания, кулинарии.

Ученые обнаружили у нового квантового материала значительный потенциал для создания двух спинтронных технологий. На протяжении последних десятилетий физики не раз пытались создать основы новых материалов, которые позволят делать электронные устройства будущего. Сегодня эта тема особенно актуальна, поскольку все существующие материалы близки к своим физическим пределам.

 

 

Антиферромагнитная спинтроника - это определенные компоненты для электроники, которые связывают текущий ток заряда с упорядоченной спиновой «текстурой» определенных материалов. В физике термин спин относят к собственному угловому моменту, наблюдаемому у электронов и других частиц. При успешном развитии AFM результатом может стать создание совершенно новых устройств, которые смогут превосходить закон Мура, который был выведен создателем микрочипов Гордоном Эрлом Муром. Память, скорость и производительность компьютеров в таком случае может увеличиваться каждый год как минимум в два раза, если возрастет число транзисторов, содержащих микрочип нового образца.

Однако поиск материалов для создания спинтроники AFM остается сложной задачей. В Калифорнийском Университете специалисты смогли определить новый квантовый материал, который можно будет использовать для создания устройств AFM. И они уже продемонстрировали его возможности для двух приложений спинтроники. В основе лежит антиферромагнитное переключение в соединениях на основе интеркалированных дихалькогенидов переходных металлов. По словам инженера Джеймса Аналитиса, ученым удалось продемонстрировать огромное обменное смещение материала – это уникальное свойство можно использовать для спиновых клапанов. Тем самым осуществляется гарантия переноса спина в устройства спинтроники – он будет происходить в одном направлении.

Изучая новые возможности, специалисты выяснили, что сверхмалые плотности тока делают возможным высокостабильное электрическое переключение в TMD. А этот факт представляет собой большие перспективы для развития новых технологий. Фактически, по сравнению с другими известными переключаемыми антиферромагнитными системами, эти материалы демонстрировали дополнительные характеристики, такие как одноимпульсное насыщение и значительно более низкую энергию активации.

Последнее


ТОП недели


No Internet Connection